硅片（晶圆）槽式自动清洗设备
碳化硅的话，需另外咨询规格
- 研磨后清洗：去除研磨磨粒（主要用碱+界面清洗）。
- 碱性蚀刻清洗：以去除研磨后加工变形为目的。
- 前热处理清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。
- 热处理后清洗：基本上是RCA清洗，但要看用户的线路配置。
- 抛光后清洗设备：基本上是RCA清洗，(DHF/SC-1/SC-2/O3处理)
- 最终清洗：基本上是RCA清洗，(DHF/SC-1/SC-2/O3处理)
设备介绍
- 处理片数
- 25片・50片两种工艺
- 搬运方式
- 盒式类型或无盒式类型
- 清洗方法
- 根据洗净槽的工艺决定
- 干燥方式
- 从热水干燥、IR干燥和旋转干燥器中进行选择。
- 机器人
- 根据工艺流程确定数量。
配备上/下、行走和夹头驱动。
- 间距转换
- 在清洗12″晶圆的情况下，为了减少清洗槽的体积
将晶片间距转换为10mm～7mm或5mm。
- 装置整体构造
- 框架・支架 钢架焊接结构，经过耐腐蚀涂层后缠绕。
FFU（清洗单元）安装在上部。
- 处理时间
- 1批（25片或者50片）5分（300sec）～6分（360sec）。
- LD＆ULD
- 兼容PFA・OPEN・FOSB・FOUP卡槽。
8″晶圆间距为6.35mm。
12″晶圆间距为10mm。
规格根据应用和布局确定。
设备规格
- 晶圆尺寸
- φ200mm・φ300mm
- 晶圆材质
- 硅（碳化硅等化合物半导体需要另外讨论规格参数。）
- 处理槽及组成
- 根据生产线配置另外讨论规格参数
- HEPA或ULPA
- 数量由配置决定
- 药液温度
- 最高可对应100℃
- 药液槽
- 摆锤摆动・旋转・超声波
- 冲洗槽
- 鼓泡、QDR、电阻率计安装
- LD＆ULD
- 离子发生器（可选）
- 干燥
- 热水提取・红外・旋转干燥・Marangoni
- 选配设备
- 臭氧发生设备
- 药液
- O₃・HF・NCW・KOH・NH₄OH・H₂O₂・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW
- 机器人
- 菲科半导体提供：垂直轴（AC伺服驱动）+行走轴（AC伺服驱动）+卡盘机构（气动）
- 程序单元
- 纯水、氮气（用于空气传感器）、洁净空气、电源、真空（用于传输）
工艺性能规格
- 金属污染
- 非保修项目
- 蚀刻均匀度
- 非保修项目
- 粘附颗粒数
- 10颗/晶圆（大于0.15um）以下，但受用户整体设备影响。
特色
- 高工艺性能
- 通过简单的处理槽结构实现最佳工艺。
- 高周转性
- 槽与槽之间搬运可实现在最短时间搬运和最短距离的控制系统兼容。
- 可维护性
- 考虑可维护性的零件布局。
- 设备设计
- 基于丰富实验数据的工艺优化设计。
- 丰富业绩经验
- 根据客户的需求提供最合适的定制设备。
对应工艺
线锯后清洗、研磨后清洗、碱性蚀刻清洗、热处理前清洗、热处理后清洗、抛光后清洗和最终清洗。
关于菲科半导体
晶圆清洗设备
竞争力
清洗设备的每个单元都是模块化定制，可实现规模化量产，降低客户的整体成本。
工艺流程包括线锯后清洗、研磨后清洗、碱蚀清洗、DSP清洗、最终清洗。 其中线锯后清洗、DSP清洗和最终清洗有长达30年以上制造经验。
一般来说，晶圆清洗（最终清洗），如果φ300mm晶圆表面的颗粒多于10个，则被认为是NG（不良），粒径为0.1μm或更大。
工艺流程包括线锯后清洗、研磨后清洗、碱蚀清洗、DSP清洗、最终清洗。 其中线锯后清洗、DSP清洗和最终清洗有长达30年以上制造经验。
一般来说，晶圆清洗（最终清洗），如果φ300mm晶圆表面的颗粒多于10个，则被认为是NG（不良），粒径为0.1μm或更大。