半导体、FPD等制造工艺的精密清洗应用
半导体工艺用臭氧水生成装置的定制制造销售
浓度~100ppm、流量~60L/min的广泛适用范围。可根据各种要求进行定制。
大流量、高浓度的臭氧水生成装置。欢迎定制。适合清洗、电阻剥离应用,也是单片式清洗装置的理想选择。
臭氧水生成装置可根据应用进行定制。
采用涡流溶解法(专利技术)积水和废弃水非常少,浓度上升速度快。臭氧水的浓度和流速在一分钟内稳定。涡流熔炼法是一种仅由生态设计设计的专利技术(专利6954645号)。
清洁臭氧水,无金属污染由于生态设计的独特技术,我们不使用金属作为液体接触部分。 可生产出适合半导体清洗的清洁无金属臭氧水。
满足广泛的需求臭氧水浓度高达100ppm,流量从1L/min到60L/min不等。 我们根据半导体工艺中对臭氧水的各种需求定制设备。
欢迎定制可根据使用工艺和设备定制。
型号(示例) | OWF-C45L30P | OWF-C5L30P |
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臭氧水浓度 (臭氧水生成能力) |
最大100ppm | 最大60ppm |
臭氧水流量 (臭氧水生成能力) |
最大60L/min | 最大7L/min |
臭氧水排放压力 (臭氧水生成能力) |
最大0.15MPa | 最大0.20MPa |
原料酸素条件 | 圧力0.3MPa,純度99.5%以上(CO2またはN2にて調整) | |
原水条件 | 超纯水・纯水・自来水,0.25MPa,25℃以下 | |
接触臭氧材料 | 石英玻璃,PFA,PTFE,红宝石 | |
臭氧生成方法 | 静音放电方式 | |
放电管冷却系统 | 水冷(内部散热器水冷) | |
外形尺寸 | 900W × 929D × 1881H (不包括突起) |
611W × 590D × 1317H (不包括突起) |
电源 | AC100V±10%,50/60Hz | |
功耗 | 5kW | 1kW |
外部输入/输出 | 是 | |
使用环境 | 气温5~40°C,湿度90%R.H.以下 室内,无结露,尘埃少 |